HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로써 그래픽 카드에 주로 사용되는 GDDR SGRAM을 대체하고 더욱 고성능을 내기 위해 제안된 메모리 구조의 명칭입니다. 메모리를 적층하고 내부 연결 통로를 이용해 메인 프로세서와 통신을 하게 만든 것으로 대역폭의 증가로 인해 기존 구조에 비해 매우 높은 속도를 가지게 되었습니다. 기존 메모리 구조와의 차이점과 장단점에 대해서 알아보겠습니다.
기존 메모리와 차이점
기존 메모리는 와이어본딩이라는 기술을 이용해서 메모리의 외부로 회로가 연결됩니다. 하지만 HBM은 TSV(Through Silicon Via)라는 기술을 이용해서 적층된 내부를 관통해서 연결하는 구조로 제작됩니다.
장점
HBM은 메모리의 적층 기술과 여러 메모리 채널로 인해 짧은 레이턴시와 높은 대역폭을 가지게 되었습니다. 전력 소비도 낮은 편이며 공간을 적게 차지하게 되면서 제한된 크기에서 성능을 더욱 높일 수 있게 되었습니다.
단점
와이어본딩만으로 기판을 붙일 수 있는 기존 방식과는 달리 인터포저를 그려 넣는 미세회로 공정이 추가로 필요합니다. 이에 따라 구현이 어렵고 비용 상승이 일어납니다.
AI, 자율주행 등 실시간 처리가 중요해지는 분야에 사용되는 메모리는 속도가 매우 중요한 선택 요인이 될 것입니다. 그 수요는 매우 빠르게 증가할 것입니다. 현재는 기존 메모리보다 5배 정도 가격이 높지만 본격적인 양산을 통해 가격이 낮아진다면 매우 빠른 속도로 현재 메모리를 대체할 것으로 예상됩니다.